Investigation of Thickness Dependence of Metal Layer in Al/Mo/4H-SiC Schottky Barrier Diodes. | J Nanosci Nanotechnol;15(11): 9308-13, 2015 Nov. | MEDLINE

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Investigation of Thickness Dependence of Metal Layer in Al/Mo/4H-SiC Schottky Barrier Diodes.

Lee, Seula; Lee, Jinseon; Kang, Tai-Young; Kyoung, Sinsu; Jung, Eun Sik; Kim, Kyung Hwan.

J Nanosci Nanotechnol ; 15(11): 9308-13, 2015 Nov.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26726688

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2015 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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