High Quality Al-Polar AIN Growth on (0001) Sapphire Using Polarity-Selective Thermal Etching by High Temperature Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(11): 8401-6, 2015 Nov.
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| ID: mdl-26726524
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Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
J Nanosci Nanotechnol
Año:
2015
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos