Zero-bias photocurrents in highly-disordered networks of Ge and Si nanowires. | Nanotechnology;27(4): 045201, 2016 Jan 29. | MEDLINE

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Zero-bias photocurrents in highly-disordered networks of Ge and Si nanowires.

Rabbani, M Golam; Patil, Sunil R; Verma, Amit; Villarreal, Julian E; Korgel, Brian A; Nekovei, Reza; Khader, Mahmoud M; Darling, R B; Anantram, M P.

Afiliación

Rabbani MG; Department of Electrical Engineering, University of Washington, Seattle, WA 98195, USA.

Nanotechnology ; 27(4): 045201, 2016 Jan 29.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26657131

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2016 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Reino Unido

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