NANOELECTRONICS. Epitaxial growth of a monolayer WSe2-MoS2 lateral p-n junction with an atomically sharp interface.
Science
; 349(6247): 524-8, 2015 Jul 31.
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| ID: mdl-26228146
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Science
Año:
2015
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Taiwán
Pais de publicación:
Estados Unidos