Single electron charge sensitivity of liquid-gated carbon nanotube transistors. | Nano Lett;14(9): 4925-30, 2014 Sep 10. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Single electron charge sensitivity of liquid-gated carbon nanotube transistors.

Sharf, Tal; Wang, Neng-Ping; Kevek, Joshua W; Brown, Morgan A; Wilson, Heather; Heinze, Stefan; Minot, Ethan D.

Afiliación

Sharf T; Department of Physics, Oregon State University , Corvallis, Oregon 97331-6507, United States.

Nano Lett ; 14(9): 4925-30, 2014 Sep 10.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-25160798

Palabras clave

Carbon nanotube; charge traps; liquid-gate; low-frequency noise; random telegraph signals; single charge

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Diagnostic_studies Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Estados Unidos

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Diagnostic_studies Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Estados Unidos