Layer-dependent electrical and optoelectronic responses of ReSe2 nanosheet transistors. | Nanoscale;6(13): 7226-31, 2014 Jul 07. | MEDLINE

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Layer-dependent electrical and optoelectronic responses of ReSe2 nanosheet transistors.

Yang, Shengxue; Tongay, Sefaattin; Li, Yan; Yue, Qu; Xia, Jian-Bai; Li, Shun-Shen; Li, Jingbo; Wei, Su-Huai.

Afiliación

Yang S; State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, P.O. Box 912, Beijing 100083, China. jbli@semi.ac.cn.

Nanoscale ; 6(13): 7226-31, 2014 Jul 07.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24882603

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2014 Tipo del documento: Article País de afiliación: China Pais de publicación: Reino Unido

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