Enhanced resistive switching phenomena using low-positive-voltage format and self-compliance IrOx/GdOx/W cross-point memories. | Nanoscale Res Lett;9(1): 12, 2014 Jan 08. | MEDLINE

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Enhanced resistive switching phenomena using low-positive-voltage format and self-compliance IrOx/GdOx/W cross-point memories.

Jana, Debanjan; Maikap, Siddheswar; Prakash, Amit; Chen, Yi-Yan; Chiu, Hsien-Chin; Yang, Jer-Ren.

Afiliación

Maikap S; Thin Film Nano Technology Laboratory, Department of Electronic Engineering, Chang Gung University, 259 Wen-Hwa 1st Rd, Kwei-Shan, Tao-Yuan 333, Taiwan. sidhu@mail.cgu.edu.tw.

Nanoscale Res Lett ; 9(1): 12, 2014 Jan 08.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24400888

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2014 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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