3D analysis of advanced nano-devices using electron and atom probe tomography. | Ultramicroscopy;136: 185-92, 2014 Jan. | MEDLINE

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3D analysis of advanced nano-devices using electron and atom probe tomography.

Grenier, A; Duguay, S; Barnes, J P; Serra, R; Haberfehlner, G; Cooper, D; Bertin, F; Barraud, S; Audoit, G; Arnoldi, L; Cadel, E; Chabli, A; Vurpillot, F.

Afiliación

Grenier A; CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France. Electronic address: adeline.grenier@cea.fr.

Ultramicroscopy ; 136: 185-92, 2014 Jan.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24189616

Palabras clave

Atom probe tomography; Electron tomography; Gate-all-around transistor; Quantification; Tip shape simulation; Tri-gate transistor

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Ultramicroscopy Año: 2014 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Países Bajos

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