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Mapping strain rate dependence of dislocation-defect interactions by atomistic simulations.
Fan, Yue; Osetskiy, Yuri N; Yip, Sidney; Yildiz, Bilge.
Afiliación
  • Fan Y; Department of Nuclear Science and Engineering and Department of Materials Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139.
Proc Natl Acad Sci U S A ; 110(44): 17756-61, 2013 Oct 29.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24114271
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Estrés Mecánico / Circonio / Ensayo de Materiales / Simulación de Dinámica Molecular / Modelos Teóricos Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Proc Natl Acad Sci U S A Año: 2013 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Estrés Mecánico / Circonio / Ensayo de Materiales / Simulación de Dinámica Molecular / Modelos Teóricos Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Proc Natl Acad Sci U S A Año: 2013 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos