Antimony-mediated control of misfit dislocations and strain at the highly lattice mismatched GaSb/GaAs interface. | ACS Appl Mater Interfaces;5(19): 9760-4, 2013 Oct 09. | MEDLINE

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Antimony-mediated control of misfit dislocations and strain at the highly lattice mismatched GaSb/GaAs interface.

Wang, Yi; Ruterana, Pierre; Chen, Jun; Kret, Slawomir; El Kazzi, Salim; Genevois, Cecile; Desplanque, Ludovic; Wallart, Xavier.

Afiliación

Wang Y; CIMAP, CNRS UMR 6252, 6 Boulevard du Maréchal Juin, 14050 Caen Cedex, France.

ACS Appl Mater Interfaces ; 5(19): 9760-4, 2013 Oct 09.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-24024581

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Francia Pais de publicación: Estados Unidos

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