Control over the number density and diameter of GaAs nanowires on Si(111) mediated by droplet epitaxy. | Nano Lett;13(8): 3607-13, 2013 Aug 14. | MEDLINE

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Control over the number density and diameter of GaAs nanowires on Si(111) mediated by droplet epitaxy.

Somaschini, Claudio; Bietti, Sergio; Trampert, Achim; Jahn, Uwe; Hauswald, Christian; Riechert, Henning; Sanguinetti, Stefano; Geelhaar, Lutz.

Afiliación

Somaschini C; Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin, Germany. somaschini@pdi-berlin.de

Nano Lett ; 13(8): 3607-13, 2013 Aug 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23898953

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania Pais de publicación: Estados Unidos

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