Enhanced hole transport in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with a p-type doped quantum barrier. | Opt Lett;38(2): 202-4, 2013 Jan 15. | MEDLINE

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Enhanced hole transport in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with a p-type doped quantum barrier.

Ji, Yun; Zhang, Zi-Hui; Tan, Swee Tiam; Ju, Zhen Gang; Kyaw, Zabu; Hasanov, Namig; Liu, Wei; Sun, Xiao Wei; Demir, Hilmi Volkan.

Afiliación

Ji Y; Luminous! Centre of Excellence for Semiconductor Lighting and Displays, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore.

Opt Lett ; 38(2): 202-4, 2013 Jan 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23454962

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Lett Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Singapur Pais de publicación: Estados Unidos

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