Preferentially oriented BaTiO3 thin films deposited on silicon with thin intermediate buffer layers. | Nanoscale Res Lett;8(1): 62, 2013 Feb 07. | MEDLINE

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Preferentially oriented BaTiO3 thin films deposited on silicon with thin intermediate buffer layers.

George, John P; Beeckman, Jeroen; Woestenborghs, Wouter; Smet, Philippe F; Bogaerts, Wim; Neyts, Kristiaan.

Afiliación

George JP; Department of Electronics and Information Systems, Ghent University, Sint-Pietersnieuwstraat 41, Gent, 9000, Belgium. John.PuthenParampilGeorge@elis.ugent.be.

Nanoscale Res Lett ; 8(1): 62, 2013 Feb 07.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23391429

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Bélgica Pais de publicación: Estados Unidos

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