A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission. | Opt Express;21(1): 640-6, 2013 Jan 14. | MEDLINE

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A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission.

Huang, Shihao; Lu, Weifang; Li, Cheng; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan.

Afiliación

Huang S; Department of Physics, Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University, Xiamen, Fujian 361005, China.

Opt Express ; 21(1): 640-6, 2013 Jan 14.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23388957

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Opt Express Asunto de la revista: OFTALMOLOGIA Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: China Pais de publicación: Estados Unidos

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