Mechanically-induced resistive switching in ferroelectric tunnel junctions.

Lu, H; Kim, D J; Bark, C-W; Ryu, S; Eom, C B; Tsymbal, E Y; Gruverman, A

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Mechanically-induced resistive switching in ferroelectric tunnel junctions.

Lu, H; Kim, D J; Bark, C-W; Ryu, S; Eom, C B; Tsymbal, E Y; Gruverman, A.

Afiliación

Lu H; Department of Physics and Astronomy & Nebraska Center for Materials and Nanoscience, University of Nebraska, Lincoln, Nebraska 68588, United States.

Nano Lett ; 12(12): 6289-92, 2012 Dec 12.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23181389

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Estados Unidos