Room-temperature electron spin amplifier based on Ga(In)NAs alloys.

Puttisong, Yuttapoom; Buyanova, Irina A; Ptak, Aaron J; Tu, Charles W; Geelhaar, Lutz; Riechert, Henning; Chen, Weimin M

Puttisong, Yuttapoom; Buyanova, Irina A; Ptak, Aaron J; Tu, Charles W; Geelhaar, Lutz; Riechert, Henning; Chen, Weimin M.

Afiliación

Puttisong Y; Department of Physics, Chemistry and Biology, Linköping University, Sweden.

Adv Mater ; 25(5): 738-42, 2013 Feb 06.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-23108727

RESUMEN

The first experimental demonstration of a spin amplifier at room temperature is presented. An efficient, defect-enabled spin amplifier based on a non-magnetic semiconductor, Ga(In)NAs, is proposed and demonstrated, with a large spin gain (up to 2700% at zero field) for conduction electrons and a high cut-off frequency of up to 1 GHz.

Asunto(s)

Amplificadores Electrónicos; Arsenicales/química; Galio/química; Indio/química; Semiconductores; Aleaciones/química; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo; Ensayo de Materiales; Marcadores de Spin; Temperatura

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Arsenicales / Semiconductores / Galio / Amplificadores Electrónicos / Indio Idioma: En Revista: Adv Mater Asunto de la revista: BIOFISICA / QUIMICA Año: 2013 Tipo del documento: Article País de afiliación: Suecia Pais de publicación: Alemania

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