The effects of radio frequency plasma power on Ai2O3 films deposited at room-temperature by remote plasma atomic layer deposition. | J Nanosci Nanotechnol;12(7): 5494-9, 2012 Jul. | MEDLINE

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The effects of radio frequency plasma power on Ai2O3 films deposited at room-temperature by remote plasma atomic layer deposition.

Lee, Jaesan; Kim, Hyungchul; Park, Taeyong; Ko, Youngbin; Jeon, Heeyoung; Park, Jingyu; Ryu, Jaehun; Jeonl, Hyeongtag.

Afiliación

Lee J; Department of Nano-Scale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(7): 5494-9, 2012 Jul.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22966597

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2012 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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