Co-integration of nano-scale vertical- and horizontal-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors for low power CMOS technology.

Sun, Min-Chul; Kim, Garam; Kim, Sang Wan; Kim, Hyun Woo; Kim, Hyungjin; Lee, Jong-Ho; Shin, Hyungcheol; Park, Byung-Gook

Sun, Min-Chul; Kim, Garam; Kim, Sang Wan; Kim, Hyun Woo; Kim, Hyungjin; Lee, Jong-Ho; Shin, Hyungcheol; Park, Byung-Gook.

Afiliación

Sun MC; Inter-University Semiconductor Research Center and School of Electrical Engineering, Seoul National University, Seoul 151-744, South Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 12(7): 5313-7, 2012 Jul.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22966563

Asunto(s)

Metales/química; Nanotecnología/instrumentación; Semiconductores; Silicio/química; Transistores Electrónicos; Diseño de Equipo; Análisis de Falla de Equipo; Óxidos/química; Integración de Sistemas

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Semiconductores / Silicio / Transistores Electrónicos / Nanotecnología / Metales Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Corea del Sur Pais de publicación: Estados Unidos

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