Vertically aligned GaAs nanowires on graphite and few-layer graphene: generic model and epitaxial growth.

Munshi, A Mazid; Dheeraj, Dasa L; Fauske, Vidar T; Kim, Dong-Chul; van Helvoort, Antonius T J; Fimland, Bjørn-Ove; Weman, Helge

Munshi, A Mazid; Dheeraj, Dasa L; Fauske, Vidar T; Kim, Dong-Chul; van Helvoort, Antonius T J; Fimland, Bjørn-Ove; Weman, Helge.

Afiliación

Munshi AM; Department of Electronics and Telecommunications, Norwegian University of Science and Technology (NTNU), NO-7491 Trondheim, Norway.

Nano Lett ; 12(9): 4570-6, 2012 Sep 12.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22889019

Asunto(s)

Arsenicales/química; Cristalización/métodos; Galio/química; Grafito/química; Nanotubos/química; Nanotubos/ultraestructura; Sustancias Macromoleculares/química; Ensayo de Materiales; Conformación Molecular; Tamaño de la Partícula; Propiedades de Superficie

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Arsenicales / Cristalización / Nanotubos / Galio / Grafito Idioma: En Revista: Nano Lett Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Noruega Pais de publicación: Estados Unidos

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