High-performance III-V MOSFET with nano-stacked high-k gate dielectric and 3D fin-shaped structure. | Nanoscale Res Lett;7(1): 431, 2012 Aug 01. | MEDLINE

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High-performance III-V MOSFET with nano-stacked high-k gate dielectric and 3D fin-shaped structure.

Chen, Szu-Hung; Liao, Wen-Shiang; Yang, Hsin-Chia; Wang, Shea-Jue; Liaw, Yue-Gie; Wang, Hao; Gu, Haoshuang; Wang, Mu-Chun.

Afiliación

Chen SH; Department of Electronic Engineering, Minghsin University of Science and Technology, Hsinchu 30401, Taiwan. wsliaoumc@yahoo.com.tw.

Nanoscale Res Lett ; 7(1): 431, 2012 Aug 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22853458

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2012 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán Pais de publicación: Estados Unidos

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