Tunable band gaps and p-type transport properties of boron-doped graphenes by controllable ion doping using reactive microwave plasma. | ACS Nano;6(3): 1970-8, 2012 Mar 27. | MEDLINE

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Tunable band gaps and p-type transport properties of boron-doped graphenes by controllable ion doping using reactive microwave plasma.

Tang, Yong-Bing; Yin, Li-Chang; Yang, Yang; Bo, Xiang-Hui; Cao, Yu-Lin; Wang, Hong-En; Zhang, Wen-Jun; Bello, Igor; Lee, Shuit-Tong; Cheng, Hui-Ming; Lee, Chun-Sing.

Afiliación

Tang YB; Center of Super-Diamond and Advanced Films (COSDAF) and Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, People's Republic of China.

ACS Nano ; 6(3): 1970-8, 2012 Mar 27.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22352710

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Nano Año: 2012 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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