Anatomy of a nanoscale conduction channel reveals the mechanism of a high-performance memristor.

Miao, Feng; Strachan, John Paul; Yang, J Joshua; Zhang, Min-Xian; Goldfarb, Ilan; Torrezan, Antonio C; Eschbach, Peter; Kelley, Ronald D; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Williams, R Stanley

Miao, Feng; Strachan, John Paul; Yang, J Joshua; Zhang, Min-Xian; Goldfarb, Ilan; Torrezan, Antonio C; Eschbach, Peter; Kelley, Ronald D; Medeiros-Ribeiro, Gilberto; Williams, R Stanley.

Afiliación

Miao F; Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Rd., Palo Alto, CA 94304, USA.

Adv Mater ; 23(47): 5633-40, 2011 Dec 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-22065427

Asunto(s)

Nanoestructuras/química; Nanotecnología/métodos; Óxidos/química; Tantalio/química; Conductividad Eléctrica; Microscopía; Nanoestructuras/ultraestructura; Nanotecnología/instrumentación; Análisis Espectral

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Óxidos / Tantalio / Nanotecnología / Nanoestructuras Idioma: En Revista: Adv Mater Asunto de la revista: BIOFISICA / QUIMICA Año: 2011 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Alemania

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