Resonant tunneling through electronic trapping states in thin MgO magnetic junctions. | Phys Rev Lett;106(19): 196601, 2011 May 13. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Resonant tunneling through electronic trapping states in thin MgO magnetic junctions.

Teixeira, J M; Ventura, J; Araujo, J P; Sousa, J B; Wisniowski, P; Cardoso, S; Freitas, P P.

Afiliación

Teixeira JM; IFIMUP and IN-Institute of Nanoscience and Nanotechnology, and Departamento de Fisica, Faculdade de Ciencias, Universidade do Porto, Rua do Campo Alegre, 687, 4169-007 Porto, Portugal. jmteixeira@fc.up.pt

Phys Rev Lett ; 106(19): 196601, 2011 May 13.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-21668184

Buscar en Google

Añadir a Mi BVS

Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2011 Tipo del documento: Article País de afiliación: Portugal Pais de publicación: Estados Unidos

Buscar en Google

Añadir a Mi BVS

Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2011 Tipo del documento: Article País de afiliación: Portugal Pais de publicación: Estados Unidos