Nanoscale two-bit/cell NAND silicon-oxide-nitride-oxide-silicon devices with a separated double-gate saddle-type structure. | J Nanosci Nanotechnol;11(2): 1337-41, 2011 Feb. | MEDLINE

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Nanoscale two-bit/cell NAND silicon-oxide-nitride-oxide-silicon devices with a separated double-gate saddle-type structure.

Park, Sang Su; You, Joo Hyung; Kwack, Kae Dal; Kim, Tae Whan.

Afiliación

Park SS; Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 133-791, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 11(2): 1337-41, 2011 Feb.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-21456183

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2011 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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