Formation energies of antiphase boundaries in GaAs and GaP: an ab Initio study.

Rubel, Oleg; Baranovskii, Sergei D

Rubel, Oleg; Baranovskii, Sergei D.

Afiliación

Rubel O; Thunder Bay Regional Research Institute, Thunder Bay, 290 Munro St, P7A 7T1, Canada.
Baranovskii SD; Department of Physics and Material Sciences Center, Philipps-University Marburg, Marburg 35032, Germany.

Int J Mol Sci ; 10(12): 5104-5114, 2009 Nov 25.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-20054465

Asunto(s)

Semiconductores; Termodinámica; Germanio/química; Silicio/química

Palabras clave

III-V semiconductors; antiphase boundary; density-functional theory; formation energy

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Semiconductores / Termodinámica Idioma: En Revista: Int J Mol Sci Año: 2009 Tipo del documento: Article País de afiliación: Canadá Pais de publicación: Suiza

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