Evidence for electronic gap-driven metal-semiconductor transition in phase-change materials. | Proc Natl Acad Sci U S A;106(27): 10907-11, 2009 Jul 07. | MEDLINE

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Evidence for electronic gap-driven metal-semiconductor transition in phase-change materials.

Shakhvorostov, Dmitry; Nistor, Razvan A; Krusin-Elbaum, Lia; Martyna, Glenn J; Newns, Dennis M; Elmegreen, Bruce G; Liu, Xiao-hu; Hughes, Zak E; Paul, Sujata; Cabral, Cyril; Raoux, Simone; Shrekenhamer, David B; Basov, Dimitri N; Song, Young; Müser, Martin H.

Afiliación

Shakhvorostov D; Department of Applied Mathematics, University of Western Ontario, London, ON, Canada N6A5B7.

Proc Natl Acad Sci U S A ; 106(27): 10907-11, 2009 Jul 07.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-19549858

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Proc Natl Acad Sci U S A Año: 2009 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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