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Monovacancy and interstitial migration in ion-implanted silicon.
Coleman, P G; Burrows, C P.
Afiliación
  • Coleman PG; Department of Physics, University of Bath, Bath BA2 7AY, United Kingdom.
Phys Rev Lett ; 98(26): 265502, 2007 Jun 29.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-17678103
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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2007 Tipo del documento: Article País de afiliación: Reino Unido Pais de publicación: Estados Unidos
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