A comparative study on SWCNT and DWCNT field-effect transistors. | J Nanosci Nanotechnol;7(4-5): 1568-72, 2007. | MEDLINE

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A comparative study on SWCNT and DWCNT field-effect transistors.

Liang, X L; Wang, S; Duan, X J; Zhang, Z Y; Chen, Q; Zhang, J; Peng, L M.

Afiliación

Liang XL; Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices, Department of Electronics, Peking University, Beijing 100871, P. R. China.

J Nanosci Nanotechnol ; 7(4-5): 1568-72, 2007.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-17450927

Asunto(s)

Nanotecnología/métodos; Nanotubos de Carbono/química; Química/métodos; Electroquímica/métodos; Electrones; Microscopía de Fuerza Atómica; Microscopía Electrónica de Transmisión; Silicio/química; Transistores Electrónicos

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Nanotecnología / Nanotubos de Carbono Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2007 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Nanotecnología / Nanotubos de Carbono Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2007 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos