Interplay between carrier and impurity concentrations in annealed Ga1-xMnxAs: intrinsic anomalous hall effect.

Chun, S H; Kim, Y S; Choi, H K; Jeong, I T; Lee, W O; Suh, K S; Oh, Y S; Kim, K H; Khim, Z G; Woo, J C; Park, Y D

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Interplay between carrier and impurity concentrations in annealed Ga1-xMnxAs: intrinsic anomalous hall effect.

Chun, S H; Kim, Y S; Choi, H K; Jeong, I T; Lee, W O; Suh, K S; Oh, Y S; Kim, K H; Khim, Z G; Woo, J C; Park, Y D.

Afiliación

Chun SH; Department of Physics and Institute of Fundamental Physics, Sejong University, Seoul 143-747, Korea.

Phys Rev Lett ; 98(2): 026601, 2007 Jan 12.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-17358627

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Qualitative_research Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2007 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Qualitative_research Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2007 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos