Electrical spin injection from an n-type ferromagnetic semiconductor into a III-V device heterostructure.

Kioseoglou, George; Hanbicki, Aubrey T; Sullivan, James M; van 't Erve, Olaf M J; Li, Connie H; Erwin, Steven C; Mallory, Robert; Yasar, Mesut; Petrou, Athos; Jonker, Berend T

Kioseoglou, George; Hanbicki, Aubrey T; Sullivan, James M; van 't Erve, Olaf M J; Li, Connie H; Erwin, Steven C; Mallory, Robert; Yasar, Mesut; Petrou, Athos; Jonker, Berend T.

Afiliación

Kioseoglou G; Materials Science and Technology Division, Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375, USA.

Nat Mater ; 3(11): 799-803, 2004 Nov.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-15502834

Asunto(s)

Compuestos Férricos; Magnetismo; Semiconductores

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Semiconductores / Compuestos Férricos / Magnetismo Idioma: En Revista: Nat Mater Asunto de la revista: CIENCIA / QUIMICA Año: 2004 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Reino Unido

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