Comment on "atomic transport and chemical stability during annealing of ultrathin Al2O3 films on Si".
Phys Rev Lett
; 86(20): 4713-4, 2001 May 14.
Article
en En
| MEDLINE
| ID: mdl-11384325
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Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Phys Rev Lett
Año:
2001
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos