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Signature of electron-plasmon quantum kinetics in GaAs
Vu QT; Haug H; Hugel WA; Chatterjee S; Wegener M.
Afiliación
  • Vu QT; Institut fur Theoretische Physik, J. W. Goethe-Universitat Frankfurt, Robert-Mayer-Strasse 8, 60054 Frankfurt am Main, Germany.
Phys Rev Lett ; 85(16): 3508-11, 2000 Oct 16.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-11030933
We predict a carrier-density dependent oscillation, which is superimposed on the decay of the coherent control photon echo signal of a semiconductor. It reflects the oscillatory transfer of excitation back and forth between electrons and a mixed plasmon-phonon mode. This signature provides obvious and unique evidence for the finite duration of the interaction process, i.e., evidence for the collective Coulomb quantum kinetics. The theoretical predictions for the model semiconductor GaAs are reproduced in corresponding experiments.
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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2000 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania Pais de publicación: Estados Unidos
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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Año: 2000 Tipo del documento: Article País de afiliación: Alemania Pais de publicación: Estados Unidos