Quantitative structural determination of metallic film growth on a semiconductor crystal: ( sqrt 3-bar x sqrt 3-bar)R 30 degrees -->(1 x 1) Pb on Ge (111).
Phys Rev Lett
; 62(5): 559-562, 1989 Jan 30.
Article
en En
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| ID: mdl-10040266
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Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Phys Rev Lett
Año:
1989
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos