Probing localization and mobility of an excess electron in a-Si by quantum molecular dynamics. | Phys Rev B Condens Matter;45(15): 8363-8368, 1992 Apr 15. | MEDLINE

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Probing localization and mobility of an excess electron in a-Si by quantum molecular dynamics.

Nakano A; Vashishta P; Kalia RK; Yang LH.

Phys Rev B Condens Matter ; 45(15): 8363-8368, 1992 Apr 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-10000671

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1992 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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